光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括：光引发剂(包括光增感剂、光致产酸剂)、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。
光刻胶可以通过光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩(掩模版)转移到待加工基片上。依据使用场景，待加工基片可以是集成电路材料，显示面板材料或者印刷电路板。
光刻胶的主要成分为树脂、单体、光引发剂及添加助剂四类。其中，树脂约占50%，单体约占35%，光引发剂及添加助剂约占15%。
按照应用领域的不同，光刻胶可分为IC光刻胶、PCB光刻胶和LCD光刻胶，其中IC光刻胶的质量要求最高。
按照曝光波长分类，光刻胶可分为紫外光刻胶(300-450nm)、深紫外光刻胶(160-280nm)、极紫外光刻胶(EUV，13.5nm)、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。不同曝光波长的光刻胶，其适用的光刻极限分辨率不同，通常来说，在使用工艺方法一致的情况下，波长越小，加工分辨率越佳。
依照化学反应和显影原理分类，光刻胶可以分为正性光刻胶和负性光刻胶。使用正性光刻胶工艺，形成的图形与掩膜版相同;使用负性光刻胶工艺，形成的图形与掩膜版相反。
全球光刻胶下游应用较为均衡，PCB光刻胶、LCD光刻胶、半导体光刻胶及其他占比基本都在25%左右。
根据全球领先的媒体情报公司Cision数据，2019年全球光刻胶市场规模预计约91亿美元，自2010年至今CAGR约5.4%。预计该市场未来3年仍将以年均5%的速度增长，至2022年全球光刻胶市场规模将超过100亿美元。
目前中国实现国产化的光刻胶主要集中在低端PCB光刻胶和LCD光刻胶，半导体光刻胶领域基本依赖于进口。PCB光刻胶是目前国产替代进度最快的，目前国产化率已达到50%。
中国LCD光刻胶的综合国产化率在5%左右，进口替代空间巨大。主要企业有飞凯材料、永太科技、苏州瑞红(晶瑞股份100%控股)和北京科华微电子。
中国的半导体光刻胶领域与世界先进水平仍有2-3代的差距，国产替代之路任重道远。半导体光刻胶及配套材料具备产品技术更迭快、纯度高等特点，也就是生产难度最高的光刻胶。
综合来。